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基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝

簡要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝,硅ARC窗口:適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經(jīng)濟型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩(wěn)定的輻射功率和短的時間常數(shù)。對于高容量應用,如樓宇空調(diào)、自動化等,JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-09-25
  • 訪  問  量:675

詳細介紹

品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

描述

適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經(jīng)濟型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩(wěn)定的輻射功率和短的時間常數(shù)。對于高容量應用,如樓宇空調(diào)、自動化等,JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

帶有反射器的封裝適合從2厘米的距離進行測量。MEMS發(fā)射器芯片由多層熱板膜組成,包含一個高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片基于硅襯底,采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成?;钚訡-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應用

l非色散紅外氣體檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標氣體

l二氧化碳(CO2)

l甲烷(CH4)

l丙烷(C3H8)

l乙醇(C2H5OH)

l其他紅外活性氣體

特點

l成本效益高的組件

l標準MEMS技術

l與CMOS兼容的制造工藝

l熱板溫度高達740 °C

l適當?shù)妮椛漭敵?/span>

l由于熱質(zhì)量低,調(diào)制深度高

技術參數(shù)

技術參數(shù)

數(shù)據(jù)

單位

光譜輸出范圍

2-15

μm

有效面積

1.0x 1.0

mm2

耐熱1

25± 5

Ω

溫度系數(shù)2

typ.1 000

ppm/K

時間常數(shù)0-63%

typ.7

ms

標稱功耗3

300

mW

工作電壓4

typ.2.5

V

工作電流4

typ.100

mA

推薦驅動模式

Power   mode

活動區(qū)域溫度1,5,6

610± 30

°C

窗口

w/o

外殼

TO46

預計使用壽命7,8

>5 000 h at 740 °C

>100 000 h at 610 °C

絕對最大額定值

輸入功率3,5

400

mW

外殼溫度8

200

°C

活動區(qū)域溫度

740

°C

1. 額定功率下的單位

2. 25°C - 700°C

3. 功率開啟狀態(tài)

4. 帶有25Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時

6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值

7. 連續(xù)模式下,平均排除障礙時間(MTTF)為63%(膜斷裂,基于阿倫尼烏斯定律的計算值)

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

電氣示意圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

電路

等效電路圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

機械制圖

底部

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

截面圖-TO46反射器開放式

基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

產(chǎn)品概述

型號

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

光圈

窗口

JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0

TO46 with reflector

None

-20 °C

180 °C

2.55 mm

Open

 

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